KIMGTIGO 记忆体进军香港市场，首批推出入门级 8GB DDR4 记忆体模组，虽然只有 DDR4-2400 CL17 速度，却用上 SAMSUNG B-Die 记忆体颗粒，出色的 AMD 平台相容性与超频潜力，轻鬆超上 DDR4-3200+，绝对是手快有手慢无。
KIMTIGO D4-2400 CL17 8GB
「KIMTIGO」品牌可能对香港用家来说较为陌生，它其实是全球第五大、中国第二个记忆体模组 TIGO 公司的子品牌，近来积极进军海外市场，首批由代理商 Myls-tec 引入香港只有入门级 DDR4-2400 8GB，到港后发现竟然採用SAMSUNG B-Die 记忆体颗粒，代理商表示这批货是针对工控市场而生，绝对是手快有手慢无。
标籤上仍沿用「TIGO」标誌，但国外销售将会使用「KIMTIGO」品牌，主要原因「TIGO」品牌已被国外企业注册，虽然香港市场不受影响，但日后仍会全数改用「KIMTIGO」进军香港，所有记忆体模组产品均享有终身保固。
採用 SAMSUNG B-Die 颗粒
KIMTIGO「TMKU8G868-2400U」记忆体模组
收到代理商送测的为两条 KIMTIGO 「 TMKU8G868-2400U」记忆体模组，规格为 DDR4-2400 CL17-17-17 ，工作电压为 1.2V ，基于 JEDEC RC 2.0 8 Layers PCB 走线设计， PCB 单面合共拥有 8 颗 SAMSUNG 「 K4A8G085WB-BCRC 」记忆体颗粒。
(左) JEDEC RC 2.0 8 Layers PCB (右) PCB上有TIGO 防伪金属标誌
SAMSUNG 记忆体颗粒的编号，开首的 K 代表 SAMSUNG Memory、4 代表是 DRAM 产品， A 代表 DDR4-SDRAM 系统记忆体、 8G08 代表容量是 8Gb (1Gb x 8) 颗粒 ，其 Refresh 时间为 64ms，紧接编码为 5 代表 16 Banks 颗粒，W 代表工作电压採用 SSTL_12 介面， vDD、vDDQ 工作电压均为 1.2V 、 B 代表 Revision B-Die 颗粒。
后面「 BCRC 」的 B 代表 96 ball FBGA 颗粒，採用 Halogen & Lead Free 环保制程 Flip Chip 封装， C 代表为正常商用颗粒之工作温度範围为 0ºC ~ 85ºC ， PB 代表其速度为 0.833ns 即 DDR4-2400，规格为 CL17-17-17。
1.35V 稳超 DDR4-3200 CL17
测试平台为 GIGABYTE AORUS Z370 Gaming 7 OP 主机板配搭 Intel Core i7-8086K 处理器，作业系统则採用 Microsoft Windows 10 ，每一组记忆体设定必要经过 AMT64 测试检定才能当测试成功。
AMT64 (Advanced Module Test 64Bit) 测试是现时各大记忆体模组厂商採用的测试标準，用作检出模组颗粒品质及相容性的硬体测试卡，透过 12 个不同的资料读写 Loop Pattern 测试，可以分辨出模组无法通过测试的颗粒，是工厂级的记忆体测试。
KIMTIGO「 TMKU8G868-2400U」记忆体模组採用 SAMSUNG 8Gb BCRC B-Die 颗粒，规格为 DDR4-2400 CL17-17-17-39 2T @ 1.2V，不加电压可直上 DDR4-2800 CL17 绝对不成问题。
在不调整时序及工作电压下， 1.35V 下可稳超 DDR4-3200 CL17-17-17-39 2T，当再提升时脉至 3400MHz 的话，需要把电压提升至 1.43V才能通过负载测试，始终记忆体颗粒没有经过筛选，当超过 DDR4-3200 后出现明显的时脉墙。
如果你有幸买到这批 KIMTIGO DDR4-2400 B-Die 记忆体模组，笔者建议最佳设定为 DDR4-3000 CL17-17-17-39 2T @ 1.35V用作 24 x 7 长时间运作之用。
KIMTIGO DDR4-2400 CL17 8GB
编辑评语︰
据代理商 Myls-Tec 表示，这批 KIMTIGO DDR4-2400 CL17 8GB 记忆体原来是针对工控市场出货，只有小批量用作一般普条发售，很大机会只有首批到货才是 SAMSUNG B-Die，绝对是手快有手慢无。
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