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3.5GB/s 极速、5 年保固 !! PNY XLR8 CS3030 NVMe M.2 SSD

时间:2020-11-25 08:56:15
3.5GB/s 极速、5 年保固 !!PNY XLR8 CS3030 NVMe M.2 SSD

PNY 针对游戏玩家推出「XLR8 CS3030 NVMe M.2 SSD」固态硬碟,採用全新 PHISON PS5012-E12 主控制器,配搭 TOSHIBA 15nm Toggle 2.0 3D TLC NAND Flash,最高速度可达 3,500MB/s Read、3,000MB/s Write,4K 随机读写最高可达 600,000 IOPS,备有 250GB、500GB、1TB 及 2TB 容量可供择,高达 200 万小时 MTBF 平均无故障时间,厂商提供五年保固服务。



PNY XLR8 CS3030 NVMe M.2 1TB SSD

CS3030

PNY XLR8 CS3030 NVMe M.2 1TB SSD

PNY 针对游戏玩家推出「XLR8 CS3030 NVMe M.2 SSD」固态硬碟,极速读写性能带来更佳的游戏体验,採用全新 PHISON PS5012-E12 主控制器,配搭 TOSHIBA 15nm Toggle 2.0 3D TLC NAND Flash,最高速度可达 3,500MB/s Read、3,000MB/s Write,4K 随机读写最高可达 600,000 IOPS,备有 250GB、500GB、1TB 及 2TB 容量可供择,高达 200 万小时 MTBF 平均无故障时间,厂商提供五年保固服务。

CS3030

此次送测为 1TB 容量型号

此次 PNY 厂方送测为 1TB 版本,型号为「M2A8QB1TBCS30-PHN-1」,採用 M.2 2280 Form Factor、PCI Express 3.0 x 4 传输介面,支援 NVMe 1.3 传输规格,产品并无附连散热器,建议搭配具备 M.2 散热器的主机板,令 SSD 长时间运作下仍能保持极速及稳定。

採用 PHISON PS5012-E12 控制器

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PHISON PS5012-E12 控制器

採用性能更强大的 PHISON PS5012-E12 主控制器,28nm 制程、由台湾 TSMC 代工,採用 8 Channel 设计、最高 32CE 、96 层堆叠并可支援 8TB 容量,支援 PCIe Gen3 x4 介面、NVMe 1.3 传输标準,支援第 4 代 SmartECC LDPC 除错技术、AES-256/TCG Opal/TCG Pyrite 安全加密 。

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4 颗 TOSHIBA Toggle 2.0 3D TLC 颗粒

NAND Flash 方面,「XLR8 CS3030 1TB」在 PCB 正背面合共拥有 4 颗 TOSHIBA Toggle 2.0 3D TLC 颗粒,16-Layers、单颗 256GB 容量 ,15nm 制程、BGA 无铅素、无卤素封装,支援 3.3V Toggle 2.0模式,合共提供 1TB 容量,其中 24GB 用作 Over-Provision 空间,格式化 NTFS 的可用空间为 931.51GB。

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1 颗 SK Hynix H5AN4G8NBJR 512MB DDR4 记忆体

板载 1 颗高速度 DDR4 512GB 记忆体颗粒、合共 512MB,用作为储存 FTL 资料及缓存用途,能有效提升读写速度,加上随机写入数据由 SLC 区块处理,就能提供类似 SLC SSD 的快速反应时间,而连续写入则直接传递给 TLC 块。

PNY XLR8 CS3030 NVMe M.2 SSD Family

XLR8 C3030 250GBXLR8 C3030 500GBXLR8 C3030 1TBXLR8 C3030 2TBForm FactorM.2 2280M.2 2280M.2 2280M.2 2280InterfacePCIe Gen3 x4PCIe Gen3 x4PCIe Gen3 x4PCIe Gen3 x4ControllerPHISON PS5012-E12PHISON PS5012-E12PHISON PS5012-E12PHISON PS5012-E12NAND3D TLC3D TLC3D TLC3D TLCSeq Read3,500MB/s3,500MB/s3,500MB/s3,500MB/sSeq Write1,050MB/s2,000MB/s3,000MB/s3,000MB/s4K IOPS Read180,000350,000600,000600,0004K IOPS Write230,000430,000600,000600,000TBW380 TBW800 TBW1,665 TBW3,115 TBW

值得注意的是,PNY XLR8 C3030 的性能表现会因应容量不同存在差异,1TB 版本最高可达 3,500MB/s Read、3,000MB/s Write,4K 随机读写可达 550,000 IOPS,最高写入量为 1,665 TBW。

测试平台︰

CPU︰Intel Core i9-9900K

MB : ASROCK Z390 TAICHI Ultimate

RAM︰CORSAIR Vengeance DDR4-3200 CL16 16GB Kit

SSD︰PNY XLR8 CS3030 NVMe M.2 1TB SSD

OS︰Windows 10 Processional 1903

ATTO Disk Benchmark︰

ATTO Disk Benchmark 是由 ATTO 公司推出的磁碟性能测试工具,该测试採用 256MB 资料大小,把资料的大小按 0.5K 、 1K 、 2K 不同增加至 64MB ,测试不同文件大小对磁碟写入的速度影响,测试结果以柱状图形表达。它採用顺序写入的方式测试磁碟的最佳读写能力,是现时业界标示产品最高性能的理论值基準测试

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ATTO Disk Benchmark 结果显示,「PNY XLR8 CS3030 NVMe M.2 1TB SSD」最高读取速度为 3.422GB/s ,写入速度则 3.056GB/s ,测试结果与厂方对産品标示规格接近。

CrystalDiskMark 测试︰

CrystalDiskMark 是一套由日本人 宫崎 典行 Hiyohiyo 开发的磁碟测试程式,提供磁碟连续读取和连续写入的速度、512KB 及 4KB 随机读取及随机写入,以及 4K 伫列深度为 32 的多工读写性能。

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连续读写 QD32T1 速度分别为 3463.8MB/s Read、3057.2MB/s Write,4KB Q1T1 随机读写速度为 50.95 MB/s Read 、 174.9 MB/s Write,4K Q32T1 伫列深度的多工读写性能则为 640.6 MB/s Read、577.4MB/s Write,而 4KB Q8T8 随机读写速度为 1605.1 MB/s Read、2344.2 MB/s Write。

AS SSD Benchmark 测试︰

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AS SSD Benchmark 同样是现时业界测试 SSD 的主要基準之一,透过 1GB 的超大档案测试 SSD 的读写效能与速度,「PNY XLR8 CS3030 NVMe M.2 1TB SSD」于 AS SSD Benchmark 的性能基準得分为 6613,其中读取表现得分为 2191 、写入表现得分为 3304 ,Copy-Benchmark 测试中,Game 项目高达 1814.38 MB/s,打机表现一流。

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Anvil's Storage Utilities

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Anvil's Storage Benchmark 是一套专业的磁碟性能测试软体,其内建了 IO Threaded 测试程序,可分析磁碟 4K 伫列深度的多工读取、写入及混合读写的 IO 性能。

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IOPS测试方面,「PNY XLR8 CS3030 NVMe M.2 1TB SSD」的 4K QD32 Read 录得 499,565.2 IOPS 、 4K QD32 Write 则录得 649,582.7 IOPS , 4K QD32 混合读写下则录得 592,065.9 IOPS。

PCMark Storage Test

PCMark Storage 测试会模拟电脑储存装置读写文书软体、美工软体、游戏等程式的速度,能够反映出真实使用时,开启程式或存档的效能表现。

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PCMark Storage 测试方面,「PNY XLR8 CS3030 NVMe M.2 1TB SSD」的得分为 5,078 ,综合了不同的使用情景后,其平均 Bandwidth 仍达 655.80MB/s ,表现相当出色。

PNY XLR8 CS3030 NVMe M.2 SSD

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