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拒绝光污染? 走灯唔该 KLEVV BOLT XR DDR4 3600 C18 记忆体

时间:2020-11-24 11:11:00
拒绝光污染? 走灯唔该 KLEVV BOLT XR DDR4 3600 C18 记忆体

近年来硬件光污染大行其道,但凡事总有例外,KLEVV 推出了全新的 「BOLT XR」系列记忆体模组,完全没有任何灯效元素,但一样备有全覆式铝製散热片、支援 Intel 及 AMD 平台,一键超频功能的 Intel XMP 2.0 技术等,适合组装工作用平台或对光污染无感的用家。



KLEVV BOLT XR DDR4 记忆体系列

BOLT XR

KLEVV 推出了全新的「BOLT XR」系列,针对拒绝「光害」的玩家,全铝散热片表面搭配立体浮雕线条,散热片顶端并沿用与「CRAS XR RGB」相同概念的环形无边角设计,圆弧的边缘让玩家装卸记忆体时更顺手,整体设计完美诠释时下流行的极简风格。

BOLT XR

KLEVV 「BOLT XR」包装即可看到记忆体本体,右上角标示记忆体规格,「BOLT XR」设有单条及双条包装,并设有DDR4 3600MHz 及 DDR4 4000MHz 两种速度规格,用家可按需要购买合适型号,盒背印有多国语言的文字说明,述说了产品设计概念及特色,同时印有记忆体模组规格,然后就是重点:「Made in KOREA」!

BOLT XR

KLEVV 「BOLT XR」记忆体散热器採用钛金属色作主体,由 2mm 厚铝合金打造大幅提升散热效果,表面加入了凹凸面增加散热表面积,虽然没有 RGB 灯效但质感相档不俗。

BOLT XR

顶端设计有点像 CRAS XR RGB,两者同样採用环型设计,只不过 BOLT XR 省略了 RGB 灯效,环中央加入了黑色胶条,上面写着「Creative Evolution」字样,抢攻专业创作者用家市场。

BOLT XR

今次收到的送测版本为「BOLT XR DDR4 3600 16GB KIT」,型号为 「KD48GU880-36A180C」,规格为 DDR4-3600MHz CL18-22-22-42-1T,支援 Intel XMP 2.0 技术、工作电压为 1.35V。

採用 SK Hynix DJR 颗粒

BOLT XR

拆下散热器后可以见到「KD48GU880-36A180C」採用 JEDEC 10 Layers A2 PCB 走线设计,并加入 2oz 镀铜电路板有助加强导热性、减低电阻性及让传送的讯号变得较为清晰乾净,于高时脉下稳定运作及提升时脉超频空间,PCB单面合共拥有 8 颗 SK HYNIX DJR 记忆体颗粒,编号为「 H5AN8NDJR-VKC」。

BOLT XR

开首的 H 代表 Hynix Memory、5 代表是 DRAM 产品, A 代表 DDR4-SDRAM 系统记忆体、N 代表 VDD & VDDQ 电压为1.2V、表容量是 8Gb (1Gb x 8) 颗粒 ,8 代表 (1Gb x 8)、N 代表为 Non-TSV、D 代表为第 5 代Revision D-Die、J 代表 Flip Chip 封装、R 代表为无铅和无卤素,紧接 VK 代表 DDR4-2666 CL19-19-19 颗粒。

BOLT XR

效能测试︰

BOLT XR

测试平台採用 ASUS ROG Crosshair VIII Impact 主机板配搭 AMD Ryzen 9 3900X 处理器,作业系统则採用 Microsoft Windows 10,每一组记忆体设定必要经过 RunMemTest Pro* 测试检定才能当测试成功。

RunMemTest Pro* 是 HKEPC 群组板主 Wang Dang 大大所写的记忆体稳定度测试,是现时各大板厂与记忆体厂的最爱用的烧机程式,如果你想知道记忆体超频后是否稳定,用它就对了,支援所有 Windows 作业系统包括 32bit 及 64bit 版本,大家可以在此下载 RunMemTest Pro。

下载︰https://cloud.hkepc.com/index.php/s/OsNCrL9zyXp3Fm0

採用 SK Hynix DJR 颗粒,规格为 DDR4-3600MHz CL18-22-22-42-1T@ 1.35V,DJR 颗粒于时脉上的超频空间比上代 CJR 颗粒为高,可以轻鬆超频至 DDR4-4600以上水平,尤其是在搭配第三代 AMD Ryzen 处理器时,不过今次受测的并非最高规格产品,超频幅度未有上次测试的「CRAS XR RGB」般高,对超频有更高要求的朋友不妨购买 「BOLT XR」的 DDR4-4000MHz ,使用 AMD Ryzen 4000 APU 甚至可以跑 4400 1:1 模式,性能将会大跃进。

在不调整时序及工作电压下,1.35V 可超至 DDR4-4000 CL18-22-22-42-,当再提升时脉至 DDR4-4600 就需要加电压到 1.45V,此时 CL 值已需要上调至 CL19-25-25-46,如果能够提供良好散热环境,建议可以于 1.55V 下超频至 DDR4-4200 CL18-24-24-46 以获取最佳效能。

受限于 AMD 处理器的除频比例,当 DDR4-3733 或以下时记忆体模组与 IMC 控制器会以 1:1 Ratio 运作,但 DDR4-3800 以上会降至 2:1 运作时,Latency 会大幅提高,但在 Intel 平台上则不会有此问题。

KLEVV BOLT X 记忆体模组

林仔评语︰

KLEVV 一口气推出「CRAS XR RGB」及「BOLT XR」两款新型号,两者设计概念相同以环形无边角设计,整体外观感觉十分不错,亦因为使用自家集团 SK Hynix 的 DJR 颗粒,超频方面有一定保证,虽然今次超频结果没有上次「CRAS XR RGB」般高,但考虑到 DDR4-3600MHz 规格,能够买到採用 DJR 颗粒的产品已算是不错。

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