三星将发布超高速32Gb DDR5内存芯片 全新升级容量更大

　　近期，三星科技公司将发布已经公布的GDDR 7内存和有超高速DDR 5内存芯片。这款芯片拥有超大内存容量32GB DDR5 DRAM，并且还采用了12纳米级工艺技术的开发，在同等规模的情况下将相应的容量提升至二倍，是整体技术上的革新和巨大改观。目前，根据已知的信息可知，三星最新的DDR 5技术允许在单通道配置下，以DDR 5-8000的速度创建32 GB和48 GB的dimm，最主要的是还支持双通道配置下的64 GB和96 GB dimm。

　　虽然三星在发布会当中并未提供太多有关于DDR 5芯片的相应信息，不过DDR 5的IO速度高达每个引脚8000 Mbps，并且还采用的是三星第五代10 nm级晶圆代工节点的架构设计。根据三星电子内存产品和技术执行的副总裁的表示可知，目前，凭借着12纳米级别的32 GB DRAM，可以实现一种高达1 TB的模块解决方案，对后续的人工智能和大数据时代的需求会起到有效的改善和促进。

　　在之前的16 GB所制造的DDR 5 128 GB DRAM模块需要通过硅通孔工艺，而全新的32 GB DRAM允许不再使用tsv工艺的情况下生产128 GB的模块。对此，三星公司曾表示，这次的更新可以使功耗的降低大约达到10%，对后续人工智能的增长，能源需求会起到很大的促进和帮助作用。