全球目前量产的最先进製程是5nm，台积电明年就要量产3nm製程，依然选择FinFET电晶体技术，三星则选择了GAA技术，日前三星成功流片了3nm GAA晶片，迈出了关键一步。
于3nm上，三星比较激进，直接选择了下一代製程技术：GAA环绕闸极电晶体，透过使用纳米材料设备製造出了MBCFET(Multi-Bridge Channel FET多桥通道场效电晶体)，此技术可以显着增强电晶体效能，主要取代FinFET电晶体管。
据三星之说法，与5nm製程相比，3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了35%以上，功耗降低了50%，效能提高了约30%。
三星早在2019年即公布了3nm GAA技术的PDK物理设计套件标準，此次3nm晶片流片是与Synopsys合作完成的，双方联合验证了此製程的设计、生产流程，是3nm GAA技术的里程碑。但三星、Synopsys并未透露此次验证的3nm GAA晶片详情，官方仅说GAA架构改进了静电特性，提高了效能、降低了功耗。
3nm GAA製程流片意味着离量产又近了一步，但最终的进度依然不好说，三星最早说于今年即能量产，后来延后至2022年，而从目前的情况来看，明年台积电3nm製程量产时，三星的3nm恐怕仍尚未準备好，依然是会晚一些。
