WD日前发布了新一代UFS 3.1——iNAND MC EU551系列，主要针对最新的5G手机，最大容量512GB，写入速度可达1550MB/s。IDC预计2021年5G手机将佔全球出货量的40%，2025年进一步提升到69%的比例，随着网路速度的提升，5G手机对储存量、性能的要求也会提高，特别是VR/ AR、游戏及8K等应用的普及。
WD推出的iNAND MC EU551是他们的第二代UFS 3.1，採用了最新的快闪记忆体，专为5G旗舰手机、平板设计，支援UFS 2.1/3.0/3.1 Gear 4, 2-Lanee，支援rite Booster和Host Performance Booster 2.0，写入速度可达1550MB/s，性能与桌上型NVMe硬碟有得一拼了。
容量方面iNAND MC EU551系列有128、256及512GB三种，预计今年7月份开始上市，下半年的5G旗舰有望搭载，不过售价没公布。
